福建兄妹 比太科技肯求用于异质结电板I层钝化的联接镀膜专利，大幅栽培镀膜速率|腔体|单晶硅
金融界2024年12月17日音讯福建兄妹，国度学问产权局信息披露，常州比太科技有限公司肯求一项名为“用于异质结电板I层钝化的联接镀膜次序、安装及系统”的专利，公开号 CN 119121194 A，肯求日历为 2024年9月。
专利纲目披露，本发明触及异质结电板钝化镀膜手艺界限，具体触及一种用于异质结电板I层钝化的联接镀膜次序、安装及系统，包括如下设施：设施S1，将PECVD腔体的温度预设至220‑260℃，将N型单晶硅片送入PECVD腔体；设施S2，出手第一电源，通入O2和SiH4，电磁场的功率设定为100‑600W，在N型单晶硅片的名义赢得I1层；设施S3，出手第二电源，通入SiH4，电磁场的功率设定为100‑400W，在I1层的名义赢得I2层；设施S4，出手第三电源，通入SiH4和H2，电磁场的功率设定为100‑400W，在I2层的名义赢得I3层；设施S5，将I层钝化的N型单晶硅片送出PECVD腔体；本发明在千里积I1层的同期通入O2以扼制高温带来的外延滋长，互助电磁场，从而在高温环境下大幅栽培了镀膜的速率。
本文源自：金融界
在线解析视频网站作家：谍报员福建兄妹